PMOS是n型衬底、p沟路的MOS管,全称Positive Channel Metal Oxide Semiconductor,依附空穴流动运送电流,作为压控型器件,其导通与截止由|Vgs|电压与|Vth|电压的相对大幼决定。当|Vgs|电压大于|Vth|电压时,内部沟路在场强作用下导通,且|Vgs|电压越高,导通水平越高、导通电阻Ron越;当|Vgs|电压幼于|Vth|电压时,内部沟路截止,同时需把稳|Vgs|电压不得超过芯片允许的极限电压。

PMOS管是驱动电路常用器件,利用时需凭据现实需要合理选型,同时关注内部寄生参数与极限参数,能力有效提升产品靠得住性。888集团电子游戏(GOODWORK)深耕半导体分立器件领域20年,其PMOS产品凭借优异机能,在防反接电路中得到宽泛利用。

一.产品优势与关键参数
产品主题优势
1.导通机能优异:导通电阻Ron越幼,允许通过的Ids电流越大,功率损耗更低。
2.开关响应迅速:开关速度可参考产品DATASHEET中的打开、维持、关关功夫参数,适配急剧切换场景。
3.电压适配矫捷:Vgs开启电压、驱动电压及极限电压覆盖多种利用需要,Vds极限电压保险电路安全。
4.封装幼巧多样:丰硕的封装尺寸选择,满足分歧设备的空间布局要求。
关键寄生参数注明
寄生二极管:使用时需预防接反导致PMOS管无法关关,同时可奇妙利用该个性实现防反接职能。
寄生电容Cgs:节造PMOS管导通与截止的主题是节造Cgs电容的充放电,急剧开关场景需驱动源提供足够大的驱动电流以及合理的泄放回路,通常开关场景只必要串接电阻即可,
部门单片机IO口(推挽输出时可提供20mA驱动电流)可直接驱动。
二.PMOS寄生参数
1、寄生二极管
使用时,要出格把稳内部寄生二极管,若是接反,将导致无法关关PMOS管;另表,某些场所能够巧用寄生二极管,好比做防反接使用时,详情请阅读后面的内容。
2、寄生电容
使用时,要出格把稳GS管脚的寄生电容Cgs,节造PMOS管的导通与截止,性质上是节造Cgs电容的充放电。
若是要求PMOS急剧导通与截止,此时必要驱动源可能提供足够大的驱动电流,以提供Cgs电容的瞬间充电,合理的栅极电路设计,能够满足Cgs的急剧放电,以及;极不被电压突波败坏;
若是仅仅作为开关使用,能够串电阻,以减幼Cgs的充放电电流,此时对驱动源的要求就不高,部门单片机的IO口(推挽输出时,能够提供20mA的驱动电流)能够直接驱动。
三.防反接电路设计道理
888集团电子游戏PMOS防反接电路通过以下设计实现高效;ぃ
巧用寄生二极管:上电时,借助内部寄生二极管使|Vgs|电压大于|Vth|电压,确保PMOS管齐全导通。
电阻分压调节:通过R29、R31电阻分压调整|Vgs|电压,尽可能增大|Vgs|电压以降低Ron值,削减压降与损耗。
稳压;ど杓:通过D5稳压二极管限度|Vgs|电压,预防超过极限电压导致器件败坏。